金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜
物理学报
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物理学报  2006, Vol. 55 Issue (7): 3756-3759
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金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜
吴贵斌, 叶志镇, 赵 星, 刘国军, 赵炳辉
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
Poly-SiGe films prepared by metal-induced growth using UHVCVD system
Wu Gui-Bin, Ye Zhi-Zhen, Zhao Xing, Liu Guo-Jun, Zhao Bin-Hui
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027

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