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p型透明导电材料BaSnO3的第一性原理研究

谭兴毅 陈长乐 金克新

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p型透明导电材料BaSnO3的第一性原理研究

谭兴毅, 陈长乐, 金克新

p-type transparent conductive BaSnO3: A first-principles calculations

Tan Xing-Yi, Chen Chang-Le, Jin Ke-Xin
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  • 基于密度泛函理论,从头计算了N以及N和Sb共掺BaSnO3的电子结构和光学性质.结果表明N单掺BaSnO3与N和Sb共掺BaSnO3均为p型透明导电材料,在可见光区透过率均在80%以上,且N和Sb共掺具有更高的电导率.计算结果为实验上制备p型钙钛矿结构透明导电材料提供了强有力的理论指导.
    Based on density functional theory calculations, the electronic properties of N-doped BaSnO3 and N and Sb codoping are investigated. It is found that codoping with N acceptors and Nb donors in a ratio of 2 ∶1 is suitable for the fabrication of low-resistivity p-type BaSnO3. Our results indicate that codoping with N acceptors and Nb donors is a prospective candidate as a p-type transparent conductive material.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61078057,50702046)、西北工业大学基础研究基金(批准号: NPU-FFR-JC200821,JC201048)和西北工业大学翱翔之星项目资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-24
  • 修回日期:  2011-02-15
  • 刊出日期:  2011-05-05

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