氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2013, Vol. 62 Issue (20): 208101     doi:10.7498/aps.62.208101
物理学交叉学科及有关科学技术领域 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究
张李骊1, 刘战辉2, 修向前1, 张荣1, 谢自力1
1. 南京大学电子科学与工程学院, 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京 210093;
2. 南京信息工程大学物理与光电工程学院, 南京 210044
Optimization of the parameters for growth high-qulity GaN film by hydride vapor phase epitaxy
Zhang Li-Li1, Liu Zhan-Hui2, Xiu Xiang-Qian1, Zhang Rong1, Xie Zi-Li1
1. Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China;
2. School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn