干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
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物理学报  2007, Vol. 56 Issue (2): 1027-1031
凝聚物质:结构、热学和力学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
张 军1, 江 山1, 吴惠桢2, 刘 成2, 劳燕锋2, 黄占超2, 谢正生2, 曹 萌3
(1)武汉邮电科学研究院,武汉 430074; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050; (3)中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100039
Effect of dry etching on light emission of InAsP/InP SMQWs
Zhang Jun1, Jiang Shan1, Wu Hui-Zhen2, Liu Cheng2, Lao Yan-Feng2, Huang Zhan-Chao2, Xie Zheng-Sheng2, Cao Meng3
(1)武汉邮电科学研究院,武汉 430074; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050; (3)中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100039

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