有效质量差异和电场对GaN/Al<sub><i>x</i></sub>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N球形量子点电子结构的影响
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2009, Vol. 58 Issue (1): 465-470
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响
吴慧婷, 王海龙, 姜黎明
曲阜师范大学物理工程学院,曲阜 273165
Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot
Wu Hui-Ting, Wang Hai-Long, Jiang Li-Ming
曲阜师范大学物理工程学院,曲阜 273165

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn