氢化硅薄膜光吸收近似特性研究
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (11): 8184-8190
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
氢化硅薄膜光吸收近似特性研究
王书博1, 叶枫1, 王秀琴1, 袁宁一2, 郭立强3, 杨继昌3, 程广贵3, 凌智勇3, 范慧娟3, 丁建宁4
(1)常州大学,低维材料微纳器件与系统研究中心,常州 213164; (2)常州大学,低维材料微纳器件与系统研究中心,常州 213164;常州市新能源重点实验室,常州 213164; (3)江苏大学机械工程学院,微纳米研究中心,镇江 212013; (4)江苏大学机械工程学院,微纳米研究中心,镇江 212013;常州大学,低维材料微纳器件与系统研究中心,常州 213164;常州市新能源重点实验室,常州 213164
Photo-absorption coefficient approximation of hydrogenated silicon films
Wang Shu-Bo1, Ye Feng1, Wang Xiu-Qin1, Yuan Ning-Yi2, Guo Li-Qiang3, Yang Ji-Chang3, Cheng Guang-Gui3, Ling Zhi-Yong3, Fan Hui-Juan3, Ding Jian-Ning4
(1)Low-dimension Material Micro/Nano Device and System Center, Changzhou University, Changzhou 213164, China; (2)Low-dimension Material Micro/Nano Device and System Center, Changzhou University, Changzhou 213164, China;Key Laboratory of New Energy Engineering, Changzhou 213164, China; (3)Micro/Nano Science and Technology Center, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China; (4)Micro/Nano Science and Technology Center, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China; Low-dimension Material Micro/Nano Device and System Center, Changzhou University, Changzhou 213164, China;Key Laboratory of New Energy Engineering, Changzhou 213164, Ch

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