SOI部分耗尽SiGe HBT集电结空间电荷区模型
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (7): 078502
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SOI部分耗尽SiGe HBT集电结空间电荷区模型
徐小波, 张鹤鸣, 胡辉勇, 许立军, 马建立
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
A collector space charge region model for SiGe HBT on thin-film SOI
Xu Xiao-Bo, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Xu Li-Jun, Ma Jian-Li
Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

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