Y掺杂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>高k栅介质薄膜的制备及性能研究
物理学报
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物理学报  2005, Vol. 54 Issue (12): 5901-5906
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究
耿伟刚1, 兰 伟1, 黄春明1, 王印月1, 郭得峰2
(1)兰州大学物理系,兰州 730000; (2)兰州大学物理系,兰州 730000;燕山大学物理系,秦皇岛 066004
Fabrication and properties of the Y-doped Al2O3 high-k gate dielectric films
Geng Wei-Gang1, Lan Wei1, Huang Chun-Ming1, Wang Yin-Yue1, Guo De-Feng2
(1)兰州大学物理系,兰州 730000; (2)兰州大学物理系,兰州 730000;燕山大学物理系,秦皇岛 066004

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