由缺陷引起的Burstein-Moss和带隙收缩效应对CdIn<sub>2</sub>O<sub>4</sub>透明导电薄膜光带隙的影响
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2005, Vol. 54 Issue (2): 842-847
凝聚物质:结构、热学和力学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
由缺陷引起的Burstein-Moss和带隙收缩效应对CdIn2O4透明导电薄膜光带隙的影响
伞海生1, 冯博学1, 何毓阳1, 陈 冲1, 李 斌2
(1)兰州大学教育部磁学与磁性材料重点实验室,兰州 730000; (2)中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
Effect on optical band-gap of transparent and conductive CdIn2O4 thin film due to defects-induced burstein-moss and band-gap narrowing characteristics
San Hai-Sheng1, Feng Bo-Xue1, He Yu-Yang1, Chen Chong1, Li Bin2
(1)兰州大学教育部磁学与磁性材料重点实验室,兰州 730000; (2)中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn