在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
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物理学报  2005, Vol. 54 Issue (9): 4329-4333
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥
刘仕锋1, 尤力平2, 秦国刚3, 戴 伦3, 傅竹西4, 张纪才5
(1)北京大学物理学院,北京 100871; (2)北京大学物理学院,北京 100871;北京大学电子显微镜实验室,北京 100871; (3)北京大学物理学院,北京 100871;人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871; (4)中国科学技术大学物理系,合肥 230027; (5)中国科学院半导体研究所,北京 100083
Synthesis of GaN nanowires and nano-pyramids in a two-hot-boat chemical vapor deposition system via an In-doping technique
Liu Shi-Feng1, You Li-Ping2, Qin Guo-Gang3, Dai Lun3, Fu Zhu-Xi4, Zhang Ji-Cai5
(1)北京大学物理学院,北京 100871; (2)北京大学物理学院,北京 100871;北京大学电子显微镜实验室,北京 100871; (3)北京大学物理学院,北京 100871;人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871; (4)中国科学技术大学物理系,合肥 230027; (5)中国科学院半导体研究所,北京 100083

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