一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法
物理学报
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物理学报  2006, Vol. 55 Issue (7): 3606-3610
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法
冯玉春1, 王文欣1, 刘晓峰1, 施 炜1, 牛憨笨1, 彭冬生2
(1)深圳大学光电子学研究所,深圳 518060; (2)中国科学院西安光学精密机械研究所,西安 710068;中国科学院研究生院,北京 100049;深圳大学光电子学研究所,深圳 518060
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD
Feng Yu-Chun1, Wang Wen-Xin1, Liu Xiao-Feng1, Shi Wei1, Niu Han-Ben1, Peng Dong-Sheng2
(1)深圳大学光电子学研究所,深圳 518060; (2)中国科学院西安光学精密机械研究所,西安 710068;中国科学院研究生院,北京 100049;深圳大学光电子学研究所,深圳 518060

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