考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
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物理学报  2006, Vol. 55 Issue (7): 3670-3676
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季 峰
华中科技大学 电子科学与技术系,武汉 430074
2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects
Li Yan-Ping, Xu Jing-Ping, Chen Wei-Bing, Xu Sheng-Guo, Ji Feng
华中科技大学 电子科学与技术系,武汉 430074

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