纳米C和SiC掺杂对MgB<sub>2</sub>带材超导性能的影响
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物理学报  2006, Vol. 55 Issue (9): 4873-4877
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响
K. Watanabe1, 张现平2, 马衍伟2, 高召顺2, 禹争光2, 闻海虎3
(1)日本东北大学金属材料研究所,仙台 980-8577,日本; (2)中国科学院电工研究所应用超导实验室,北京 100080; (3)中国科学院物理研究所,北京 100080
Effect of nanoscale C and SiC doping on the superconducting properties of MgB2 tapes
K. Watanabe1, Zhang Xian-Ping2, Ma Yan-Wei2, Gao Zhao-Shun2, Yu Zheng-Guang2, Wen Hai-Hu3
(1)日本东北大学金属材料研究所,仙台 980-8577,日本; (2)中国科学院电工研究所应用超导实验室,北京 100080; (3)中国科学院物理研究所,北京 100080

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