高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
物理学报
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物理学报  2006, Vol. 55 Issue (9): 4951-4955
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 李 彤, 邢艳辉, 韩 军, 郭 霞, 沈光地
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京 100022
Investigation of high hole concentration Mg-doped InGaN epilayer
Liu Nai-Xin, Wang Huai-Bing, Liu Jian-Ping, Niu Nan-Hui, Zhang Nian-Guo, Li Tong, Xing Yan-Hui, Han Jun, Guo Xia, Shen Guang-Di
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京 100022

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