γ-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>在高压下的电子结构和物理性质研究
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物理学报  2007, Vol. 56 Issue (1): 117-122
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γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究
丁迎春1, 潘洪哲1, 沈益斌1, 祝文军2, 徐 明3, 贺红亮4
(1)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068; (2)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068;中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900; (3)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068;重庆邮电学院光电工程学院,重庆 400065; (4)中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900
Electronic structure and physical properties of γ-Si3N4 under high pressure
Ding Ying-Chun1, Pan Hong-Zhe1, Shen Yi-Bin1, Zhu Wen-Jun2, Xu Ming3, He Hong-Liang4
(1)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068; (2)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068;中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900; (3)四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都 610068;重庆邮电学院光电工程学院,重庆 400065; (4)中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900

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