用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究
物理学报
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物理学报  2007, Vol. 56 Issue (11): 6717-6721
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用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究
谢自力, 张 荣, 修向前, 韩 平, 刘 斌, 陈 琳, 俞慧强, 江若琏, 施 毅, 郑有炓
江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093
MOCVD growth and characteristics of high quality AlGaN used in the DBR structure of ultraviolet detector
Xie Zi-Li, Zhang Rong, Xiu Xiang-Qian, Han Ping, Liu Bin, Chen Lin, Yu Hui-Qiang, Jiang Ruo-Lian, Shi Yi, Zheng You-Dou
江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093

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