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| InN薄膜的氧化特性研究 |
| 谢自力, 张 荣, 修向前, 刘 斌, 朱顺明, 赵 红, 濮 林, 韩 平, 江若琏, 施 毅, 郑有炓 |
| 南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093 |
| The oxidation characteristics of InN films |
| Xie Zi-Li, Zhang Rong, Xiu Xiang-Qian, Liu Bin, Zhu Shun-Ming, Zhao Hong, Pu Lin, Han Ping, Jiang Ruo-Lian, Shi Yi, Zheng You-Dou |
| 南京大学物理系，江苏省光电功能材料重点实验室，南京 210093 |
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摘要： 研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性. 研究表明，在400 ℃以下，InN薄膜很难被氧化，而金属In很容易被氧化. 因此富In的InN薄膜的氧化在400 ℃以下主要是金属In的氧化，在400 ℃以上为金属In和InN的同时被氧化. 在400 ℃以上的氧化过程中，InN的表观氧化速率非常慢，这可能和InN的高温分解有关. InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.
关键词：
InN
氧化铟
氧化
X射线衍射
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Abstract： The characteristics of oxidation of InN film in different oxygen atmosphere have been investigated. At the temperature under 400 ℃, the oxidation of InN film is difficult, but the oxidation of metal In is very easy. Thus, the oxidation of In is the main process during oxidation of the In-rich InN film under the temperature less than 400 ℃. As the annealing temperature is higher than 400 ℃, metal In and InN are oxidated meanwhile. Although oxidation under the temperature high than 400 ℃, InN is apparently oxidated very slowly. This may be due to the decomposition of InN. The oxidation rate under the ambience of wet oxygen is larger than that under dry oxygen.
Keywords：
InN
In2O3
oxidation
XRD
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收稿日期: 2006-04-06
出版日期: 2007-01-26
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| 基金: 国家重点基础研究发展规划(973)(批准号：2006CB6049)，国家自然科学基金(批准号：60390072，60476030，60421003,60676057)，教育部重大项目(批准号：10416)，高等学校博士学科点专项科研基金(批准号：20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号：BK2005210，BK2006126)资助的课题. |
| 引用本文: |
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谢自力,张 荣,修向前 等 . InN薄膜的氧化特性研究. 物理学报, 2007, 56(2): 1035.
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| Cite this article: |
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Xie Zi-Li,Zhang Rong,Xiu Xiang-Qian et al. The oxidation characteristics of InN films. Acta Phys. Sin., 2007, 56(2): 1032-1035.
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| URL: |
| http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2007/V56/I2/1032 |
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2007, Vol. 56 
