Snapback应力引起的90 nm NMOSFET's栅氧化层损伤研究
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2007, Vol. 56 Issue (2): 1075-1081
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
Snapback应力引起的90 nm NMOSFET's栅氧化层损伤研究
朱志炜, 郝 跃, 马晓华, 曹艳荣, 刘红侠
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Investigation of snapback stress induced gate oxide defect for NMOSFET’s in 90 nm technology
Zhu Zhi-Wei, Hao Yue, Ma Xiao-Hua, Cao Yan-Rong, Liu Hong-Xia
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn