稀磁半导体Hg<sub>0.89</sub>Mn<sub>0.11</sub>Te磁化强度及磁化率的研究
物理学报
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物理学报  2007, Vol. 56 Issue (2): 1141-1145
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te磁化强度及磁化率的研究
王泽温, 介万奇
西北工业大学材料学院,西安 710012
Magnetization and susceptibility of diluted magnetic semiconductor Hg0.89Mn0.11Te
Wang Ze-Wen, Jie Wan-Qi
西北工业大学材料学院,西安 710012

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