显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上<i>E</i><sub>0</sub>+<i>Δ</i><sub>0</sub>光学性质
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物理学报  2007, Vol. 56 Issue (7): 4213-4217
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+Δ0光学性质
包志华1, 景为平1, 罗向东2, 谭平恒3
(1)南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通 226007; (2)南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通 226007;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京 100083
Optical properties of the E0Δ0 energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique
Bao Zhi-Hua1, Jing Wei-Ping1, Luo Xiang-Dong2, Tan Ping-Heng3
(1)南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通 226007; (2)南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通 226007;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京 100083

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