蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
物理学报
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物理学报  2007, Vol. 56 Issue (7): 4218-4223
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究
陈光德1, 苑进社2
(1)西安交通大学理学院,西安 710048; (2)重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆 400047;西安交通大学理学院,西安 710048
Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE
Chen Guang-De1, Yuan Jin-She2
(1)西安交通大学理学院,西安 710048; (2)重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆 400047;西安交通大学理学院,西安 710048

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