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用高能离子注入(160keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂，研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火，快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下，量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加，先是往高能量端快速移动，而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点，释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品，变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为.
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关键词:
- 离子注入 /
- InAs/GaAs量子点 /
- 光致发光 /
- 团簇
V+ were implanted into anantase films by metal ion implantation. The electronic band structures of TiO2 films doped with V+ were calculated using a self-consistent full-potential linearized augmented plane-wave method with-
Keywords:
- ion implantation /
- InAs/GaAs quantum dot /
- photoluminescence /
- clusters
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