锐钛矿(TiO<sub>2</sub>)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (1): 438-442
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
锐钛矿(TiO2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算
侯清玉, 张 跃, 陈 粤, 尚家香, 谷景华
北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京 100083
Effects of the concentration of oxygen vacancy of anatase on electric conducting performance studied by frist principles calculations
Hou Qing-Yu, Zhang Yue, Chen Yue, Shang Jia-Xiang, Gu Jing-Hua
北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京 100083

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