AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (11): 7238-7243
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响
席光义, 任 凡, 郝智彪, 汪 莱, 李洪涛, 江 洋, 赵 维, 韩彦军, 罗 毅
清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室/清华大学信息科学与技术国家实验室,北京 100084
Influence of pit defects on AlGaN surface and dislocation defects in GaN buffer layer on current collapse of AlGaN/GaN HEMTs
Xi Guang-Yi, Ren Fan, Hao Zhi-Biao, Wang Lai, Li Hong-Tao, Jiang Yang, Zhao Wei, Han Yan-Jun, Luo Yi
清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室/清华大学信息科学与技术国家实验室,北京 100084

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