感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (2): 1128-1132
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性
吕 玲, 龚 欣, 郝 跃
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Properties of p-type GaN etched by inductively coupled plasma and their improvement
Lü Ling, Gong Xin, Hao Yue
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

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