金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/<i>f</i><sup><i>γ</i></sup>噪声相关性研究
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (4): 2468-2475
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究
刘宇安1, 杜 磊2, 包军林3
(1)井冈山学院数理学院,吉安 343009; (2)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (3)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Research on correlation of 1/fγ noise and hot carrier degradation in metal oxide semiconductor field effect transistor
Liu Yu-An1, Du Lei2, Bao Jun-Lin3
(1)井冈山学院数理学院,吉安 343009; (2)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (3)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

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