硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (5): 3176-3181
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究
熊传兵, 江风益, 方文卿, 王 立, 莫春兰
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌 330096
Change in stress of GaN light-emitting diode films during the process of transferring the film from the Si(111) growth substrate to new substrate
Xiong Chuan-Bing, Jiang Feng-Yi, Fang Wen-Qing, Wang Li, Mo Chun-Lan
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌 330096

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