两个子带占据的In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As量子阱中填充因子的变化规律
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (6): 3818-3822
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律
李东临1, 高宏玲1, 崔利杰1, 曾一平1, 商丽燕2, 林 铁2, 郭少令2, 周文政3, 褚君浩4
(1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004; (4)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;华东师范大学ECNU-SITP成像信息联合实验室,上海 200062
Investigation of filling factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands
Li Dong-Lin1, Gao Hong-Ling1, Cui Li-Jie1, Zeng Yi-Ping1, Shang Li-Yan2, Lin Tie2, Guo Shao-Ling2, Zhou Wen-Zheng3, Chu Jun-Hao4
(1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004; (4)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;华东师范大学ECNU-SITP成像信息联合实验室,上海 200062

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