高<i>k</i>栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (7): 4476-4481
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响
栾苏珍, 刘红侠, 贾仁需, 蔡乃琼, 王 瑾
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
The impact of high-k dielectrics on the performance of Schottky barrier source/drain (SBSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFET
Luan Su-Zhen, Liu Hong-Xia, Jia Ren-Xu, Cai Nai-Qiong, Wang Jin
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

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