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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

林若兵 王欣娟 冯 倩 王 冲 张进城 郝 跃

引用本文:
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究

林若兵, 王欣娟, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郝 跃

Study on mechanism of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by high temperature Schottky annealing

Lin Ruo-Bing, Wang Xin-Juan, Feng Qian, Wang Chong, Zhang Jin-Cheng, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-18
  • 修回日期:  2007-12-05
  • 刊出日期:  2008-07-20

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