低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (8): 5284-5289
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低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响
韩晓艳, 侯国付, 李贵君, 张晓丹, 袁育杰, 张德坤, 陈新亮, 魏长春, 孙 健, 耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
Influence of low rate p/i interface layer on the performance of high growth rate microcrystalline silicon solar cells
Han Xiao-Yan, Hou Guo-Fu, Li Gui-Jun, Zhang Xiao-Dan, Yuan Yu-Jie, Zhang De-Kun, Chen Xin-Liang, Wei Chang-Chun, Sun Jian, Geng Xin-Hua
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071

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