6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究
物理学报
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (9): 6007-6012
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6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究
林 涛, 陈治明, 李 佳, 李连碧, 李青民, 蒲红斌
西安理工大学电子工程系,西安 710048
Study of the growth characteristics of SiCGe layers grown on 6H-SiC substrates
Lin Tao, Chen Zhi-Ming, Li Jia, Li Lian-Bi, Li Qing-Min, Pu Hong-Bin
西安理工大学电子工程系,西安 710048

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