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Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

刘林杰 岳远征 张进城 马晓华 董作典 郝跃

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Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃

Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate dielectric

Liu Lin-Jie, Yue Yuan-Zheng, Zhang Jin-Cheng, Ma Xiao-Hua, Dong Zuo-Dian, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-19
  • 修回日期:  2008-07-14
  • 刊出日期:  2009-01-20

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