Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响
物理学报
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (10): 7211-7215
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响
毕志伟, 冯倩, 郝跃, 岳远征, 张忠芬, 毛维, 杨丽媛, 胡贵州
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Effect of Al2O3 dielectric layer thickness on the AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor higher-electron-mobility transistor characteristics
Bi Zhi-Wei, Feng Qian, Hao Yue, Yue Yuan-Zheng, Zhang Zhong-Fen, Mao Wei, Yang Li-Yuan, Hu Gui-Zhou
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

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