氢化作用对低能电子束辐照下GaN发光演变的影响
物理学报
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (11): 7864-7868
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
氢化作用对低能电子束辐照下GaN发光演变的影响
Dierre Benjamin1, Sekiguchi Takashi1, 王彦2, 沈波2, 许福军2
(1)Advanced Electronic Materials Center,National Institute for Materials Science,Namiki 1-1,Tsukuba 305-0044,Japan; (2)北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
Effect of hydrogenation on the luminescence evolution of GaN under low energy electron beam irradiation
Dierre Benjamin1, Sekiguchi Takashi1, Wang Yan2, Shen Bo2, Xu Fu-Jun2
(1)Advanced Electronic Materials Center,National Institute for Materials Science,Namiki 1-1,Tsukuba 305-0044,Japan; (2)北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871

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