在蓝宝石上生长CeO<sub>2</sub> 缓冲层的原位双温工艺法及Tl-2212薄膜的技术改进
物理学报
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (11): 7958-7965
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
在蓝宝石上生长CeO2 缓冲层的原位双温工艺法及Tl-2212薄膜的技术改进
黄国华1, 王向红1, 谢清连2, 王争3, 游峰3, 季鲁3, 赵新杰3, 方兰3, 阎少林3
(1)广西师范学院物理与电子工程学院, 南宁 530001; (2)广西师范学院物理与电子工程学院, 南宁 530001;南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系,天津 300071; (3)南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系,天津 300071
The in situ two-temperature process of preparation of CeO2 films on sapphire substrates and technical improvements of fabrication of Tl-2212 films
Huang Guo-Hua1, Wang Xiang-Hong1, Xie Qing-Lian2, Wang Zheng3, You Feng3, Ji Lu3, Zhao Xin-Jie3, Fang Lan3, Yan Shao-Lin3
(1)广西师范学院物理与电子工程学院, 南宁 530001; (2)广西师范学院物理与电子工程学院, 南宁 530001;南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系,天津 300071; (3)南开大学信息技术科学学院电子信息科学与技术系,天津 300071

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