Mg/B多层膜退火法中不同制备条件对MgB<sub>2</sub>超导薄膜性质的影响
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (11): 7966-7971
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
Mg/B多层膜退火法中不同制备条件对MgB2超导薄膜性质的影响
刘亮1, 马小柏1, 聂瑞娟1, 王福仁1, 姚丹2
(1)北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871; (2)空军航空大学,长春 130022
Properties of MgB2 films fabricated under different conditions by ex-situ annealing of Mg/B multilayer precursor
Liu Liang1, Ma Xiao-Bai1, Nie Rui-Juan1, Wang Fu-Ren1, Yao Dan2
(1)北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871; (2)空军航空大学,长春 130022

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