GaN基异质结缓冲层漏电分析
物理学报
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (3): 1959-1965
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
GaN基异质结缓冲层漏电分析
张进城, 董作典, 秦雪雪, 郑鹏天, 刘林杰, 郝跃
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
Analysis of the leakage current in GaN-based heterostructure buffer layer
Zhang Jin-Cheng, Dong Zuo-Dian, Qin Xue-Xue, Zheng Peng-Tian, Liu Lin-Jie, Hao Yue
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071

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