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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 李弋 傅德颐 陆海 陈鹏 韩平 郑有炓 汤晨光 陈涌海 王占国

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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

张曾, 张荣, 谢自力, 刘斌, 修向前, 李弋, 傅德颐, 陆海, 陈鹏, 韩平, 郑有炓, 汤晨光, 陈涌海, 王占国

Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD

Zhang Zeng, Zhang Rong, Xie Zi-Li, Liu Bin, Xiu Xiang-Qian, Li Yi, Fu De-Yi, Lu Hai, Chen Peng, Han Ping, Zheng You-Dou, Tang Chen-Guang, Chen Yong-Hai, Wang Zhan-Guo
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-03
  • 修回日期:  2008-11-24
  • 刊出日期:  2009-05-20

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