低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究
物理学报
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (7): 4941-4947
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究
袁广才1, 徐征1, 赵谡玲1, 张福俊1, 孙钦军1, 徐叙瑢1, 许娜2
(1)北京交通大学光电子技术研究所,北京 100044;北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044; (2)北京交通大学理学院,北京 100044
Study of the characteristics of organic thin film transistors with phenyltrimethoxysilane buffer under low gate modulation voltage
Yuan Guang-Cai1, Xu Zheng1, Zhao Su-Ling1, Zhang Fu-Jun1, Sun Qin-Jun1, Xu Xu-Rong1, Xu Na2
(1)北京交通大学光电子技术研究所,北京 100044;北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044; (2)北京交通大学理学院,北京 100044

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