Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2009, Vol. 58 Issue (8): 5736-5743     doi:10.7498/aps.58.5736
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响
魏玮, 刘明, 曲盛薇, 张庆瑜
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024
Photoluminescence of as-grown and annealed ZnO films on Ti-buffered Si(111) substrates
Wei Wei, Liu Ming, Qu Sheng-Wei, Zhang Qing-Yu
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn