应变Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>/(111)Si空穴有效质量模型
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (1): 579-582
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
应变Si1-xGex/(111)Si空穴有效质量模型
宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 戴显英
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
Model of hole effective mass of strained Si1-xGex/(111)Si
Song Jian-Jun, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Xuan Rong-Xi, Dai Xian-Ying
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071

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