氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理
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物理学报  1980, Vol. 29 Issue (10): 1283-1292
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氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理
蒋柏林1, 盛世雄1, 肖治纲1, 包剑英2
(1)北京钢铁学院金属物理教研室; (2)冶金工业部有色金属研究总院
MECHANISM OF THE FORMATION OF THE DEFECTS DURING HEAT TREATMENT IN SINGLE SILICON CRYSTAL GROWN BY FLOATING ZONE METHOD UNDER PURE HYDROGEN
JIANG BAI-LIN1, SHENG SHI-XIONG1, XIAO ZHI-GANG1, BAO JIAN-YING2
(1)北京钢铁学院金属物理教研室; (2)冶金工业部有色金属研究总院

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