物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (10): 7333.      DOI: 10.7498/aps.59.7333
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究
王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维
宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
High temperature annealing of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
Wang Chong, Quan Si, Ma Xiao-Hua, Hao Yue, Zhang Jin-Cheng, Mao Wei
Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, The School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China


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