p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (11): 8078-8082
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究
毛清华, 江风益, 程海英, 郑畅达
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047
p-AlGaN electron blocking layer with different Al fractions on green InGaN/GaN LEDs grown on Si substrates
Mao Qing-Hua, Jiang Feng-Yi, Cheng Hai-Ying, Zheng Chang-Da
Education Ministry Engineering Reserch Center for Luminescence Matirials and Devices,Nanchang University,Nanchang 330047,China

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