高<i>k</i>栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (11): 8131-8136
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型
李劲, 刘红侠, 李斌, 曹磊, 袁博
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Threshold voltage analytical model for strained Si SOI MOSFET with high-k dielectric
Li Jin, Liu Hong-Xia, Li Bin, Cao Lei, Yuan Bo
Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education,School of Microelectronics,Xidian University,Xi'an 710071,China

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