界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2010, Vol. 59 Issue (12): 8870-8876
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响
孙铁囤1, 邸明东2, 孙永堂2, 汪昊2, 周骏3
(1)常州亿晶光电科技有限公司,常州 213223; (2)江苏大学光信息科学与技术系,镇江 212013; (3)宁波大学光学与光电子技术研究所,宁波 315211;江苏大学光信息科学与技术系,镇江 212013
Effects of substrate resistivity and interface defect density on performance of solar cell with silicon heterojunctions
Sun Tie-Tun1, Di Ming-Dong2, Sun Yong-Tang2, Wang Hao2, Zhou Jun3
(1)Changzhou Yijing Optical-electronic Company Limited, Changzhou 213223, China; (2)Department of Optical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China; (3)Institute of Optics and Optoelectronics, Ningbo University, Ningbo 315211, China;Department of Optical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn