应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (12): 8877-8882
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型
刘红侠, 尹湘坤, 刘冰洁, 郝跃
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Threshold voltage analytic model for strained SiGe-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Liu Hong-Xia, Yin Xiang-Kun, Liu Bing-Jie, Hao Yue
Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Ministry of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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