超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (3): 1970-1976
凝聚物质:结构、热学和力学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善
鲁庆1, 王文华1, 安霞1, 黄如1, 王思浩2
(1)北京大学微电子学深圳研究院,集成微系统重点实验室,北京 100871; (2)北京大学微电子学深圳研究院,集成微系统重点实验室,北京 100871;长春理工大学,微电子系,长春 130022
The improvement on total ionizing dose (TID) effects of the ultra-deep submicron MOSFET featuring delta doping profiles
Lu Qing1, Wang Wen-Hua1, An Xia1, Huang Ru1, Wang Si-Hao2
(1)北京大学微电子学深圳研究院,集成微系统重点实验室,北京 100871; (2)北京大学微电子学深圳研究院,集成微系统重点实验室,北京 100871;长春理工大学,微电子系,长春 130022

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