表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (4): 2746-2752
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究
段俊丽1, 郝立超2
(1)上海交通大学医学院附属新华医院,上海 200240; (2)同济大学物理学院,上海 200092
Static surface states and bulk traps in AlGaN/GaN HEMT including hot electron and quantum effects
Duan Jun-Li1, Hao Li-Chao2
(1)上海交通大学医学院附属新华医院,上海 200240; (2)同济大学物理学院,上海 200092

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